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STGP30H65F

更新时间:2025-06-23 11:44:05

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STGP30H65F 概述

0H65F是由意法半导体生产的一款高压MOSFET。这款功率MOSFET采用了先进的平面技术，具备低导通电阻和快速开关特性。它能够在高达650V的电压下工作，适用于高效能电源转换器、不间断电源系统（UPS）、太阳能逆变器以及其他需要高电压处理能力的应用场景。在具体应用中，该MOSFET常用于高频开关电路中以实现高效能量转换。使用时需注意散热设计，确保器件工作在安全温度范围内。例如，在一个典型的反激式电源转换器设计里，可以将STGP30H65F作为初级侧开关管，搭配合适的驱动电路与变压器参数设置，从而构建稳定可靠的电源系统。根据不同的应用需求，还应合理选择栅极电阻值以优化开关速度和电磁干扰水平。

STGP30H65F 规格参数

现有数量
14现货
系列
-
包装
管件
产品状态
停产
IGBT 类型
沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）
650 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
60 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
120 A
不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值）
2.4V @ 15V，30A
功率 - 最大值
260 W
开关能量
350μJ（开），400μJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
105 nC
25°C 时 Td（开/关）值
50ns/160ns
测试条件
400V，30A，10 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr)
-
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3
供应商器件封装
TO-220

芯产品

372

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