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STGP30M65DF2

更新时间:2025-05-22 22:56:48
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  • STGP30M65DF2

    STGP30M65DF2

  • 6000

  • ST(意法半导体)

  • TO220/25+26+

  • 原装现货 一站式BOM表配单，终端可免费供样品

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STGP30M65DF2 规格参数
  • 现有数量
    0现货查看交期
  • 系列
    -
  • 包装
    管件
  • 产品状态
    在售
  • IGBT 类型
    沟槽型场截止
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
    650 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
    60 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm)
    120 A
  • 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值）
    2V @ 15V，30A
  • 功率 - 最大值
    258 W
  • 开关能量
    300μJ（开），960μJ（关）
  • 输入类型
    标准
  • 栅极电荷
    80 nC
  • 25°C 时 Td（开/关）值
    31.6ns/115ns
  • 测试条件
    400V，30A，10 欧姆，15V
  • 反向恢复时间 (trr)
    140 ns
  • 工作温度
    -55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型
    通孔
  • 封装/外壳
    TO-220-3
  • 供应商器件封装
    TO-220
芯产品
342
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广东微尔科技有限公司
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