22N60M6是意法半导体生产的一款高性能N沟道功率MOSFET。该器件专为高效率开关应用设计，具有低导通电阻和快速开关特性。其最大漏极-源极电压（Vds）为600V，连续漏极电流（Id）可达22A，适用于需要高压处理能力的电源转换电路中。典型应用场景包括不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、工业电机驱动以及各种开关模式电源（SMPS）。在这些应用中，STP22N60M6能够提供高效能的电力管理解决方案，帮助提高系统整体效率并减少热损耗。使用建议方面，在进行PCB布局时应尽量缩短栅极驱动线路以减少寄生电感影响，并确保适当的散热设计以维持稳定工作温度。推荐采用合适的栅极电阻来优化开关速度与EMI性能之间的平衡。此外，为防止过压损坏，可在漏极与源极间加装瞬态抑制二极管或类似保护元件。

STP22N60M6 规格参数

现有数量
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系列
MDmesh? M6
包装
管件
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
15A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
230 毫欧 @ 7.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4.75V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
20 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
800 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
130W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220
封装/外壳
TO-220-3

芯知识

1.4万

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广东微尔科技有限公司

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