STP30NM60ND
6000
TO220ABNONISOL/2025+
十年配单，只做原装
STP30NM60ND
521010
NR/2017+
-
STP30NM60ND
6000
TO220ABNONISOL/23+
十年配单，只做原装
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原装现货只有原装.假一罚十
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TO220AB/23+
原装现货需要的加QQ3552671880 2987726803
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TO220ABNONISOL/19+
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原装现货
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助力国营二十余载，一站式解决BOM配单，行业标杆企
STP30NM60ND
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回收此型号STP30NM60ND
STP30NM60ND
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TO2203/22+
原厂渠道，现货配单
STP30NM60ND
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TO220ABNONISOL/23+
十年配单，只做原装
STP30NM60ND
30000
TO247/19+
原装正品
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4500
TO220ABNONISOL/23+
终端可以免费供样，支持BOM配单
STP30NM60ND
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TO2203/23+
原厂渠道，现货配单
STP30NM60ND
10212
TO220/21+
原装现货终端免费提供样品
STP30NM60ND
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原装 部分现货量大期货
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TO2203/2024+
原厂渠道，现货配单
STP30NM60ND
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TO 220 AB NON ISOL/-
大量现货，提供一站式配单服务
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TO2203/2024+
原厂渠道，现货配单
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TO 220 AB NON ISOL/22+
房间现货，价格优势。
STP30NM60ND
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STMICROELECTRONICS
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为现实，st对fdmesh超结架构进行了技术改进，在传统的带状mosfet结构中融合垂直结构，同时还内置一个速度更快、可靠性更强的本征体二极管。除降低导通电阻和恢复时间外，通过降低栅电容、栅电荷和栅输入电阻，这些技术改良更能提高开关效率，降低驱动损耗。在开关期间提高的可靠性，特别是在桥式拓扑中，包括在低负载下的零压开关（zvs）结构，使新产品具有很高的dv/dt值。 采用这项技术的未来产品还将提供更多的封装选择和电流性能，每款封装都让快速恢复mosfet晶体管具有业内最低的导通电阻。其中，stp30nm60nd采用to-220封装，额定漏极电流25a，导通电阻0.13欧姆；std11nm60nd采用dpak贴装封装，漏极电流10a，导通电阻0.45欧姆；st的fdmesh ii系列产品将不断推出新产品，以扩大电压和电流性能的选择范围，后续产品将采用业内标准的功率封装。 stw55nm60nd现在已开始量产。 来源:ks99
能变为现实，st对fdmesh超结架构进行了技术改进，在传统的带状mosfet结构中融合垂直结构，同时还内置一个速度更快、可靠性更强的本征体二极管。除降低导通电阻和恢复时间外，通过降低栅电容、栅电荷和栅输入电阻，这些技术改良更能提高开关效率，降低驱动损耗。在开关期间提高的可靠性，特别是在桥式拓扑中，包括在低负载下的零压开关（zvs）结构，使新产品具有很高的dv/dt值。 采用这项技术的未来产品还将提供更多的封装选择和电流性能，每款封装都让快速恢复mosfet晶体管具有最低的导通电阻。其中，stp30nm60nd采用to-220封装，额定漏极电流25a，导通电阻0.13欧姆；std11nm60nd采用dpak贴装封装，漏极电流10a，导通电阻0.45欧姆；st的fdmesh ii系列产品将不断推出新产品，以扩大电压和电流性能的选择范围，后续产品将采用业内标准的功率封装。 来源:ks99
为现实，st对fdmesh超结架构进行了技术改进，在传统的带状mosfet结构中融合垂直结构，同时还内置一个速度更快、可靠性更强的本征体二极管。除降低导通电阻和恢复时间外，通过降低栅电容、栅电荷和栅输入电阻，这些技术改良更能提高开关效率，降低驱动损耗。在开关期间提高的可靠性，特别是在桥式拓扑中，包括在低负载下的零压开关（zvs）结构，使新产品具有很高的dv/dt值。 采用这项技术的未来产品还将提供更多的封装选择和电流性能，每款封装都让快速恢复mosfet晶体管具有业内最低的导通电阻。其中，stp30nm60nd采用to-220封装，额定漏极电流25a，导通电阻0.13欧姆；std11nm60nd采用dpak贴装封装，漏极电流10a，导通电阻0.45欧姆；st的fdmesh ii系列产品将不断推出新产品，以扩大电压和电流性能的选择范围，后续产品将采用业内标准的功率封装。 stw55nm60nd现在已开始量产。
师大幅度提高功率密度。 新的fdmesh超结架构在传统的带状mosfet结构中融合垂直结构，同时还内置一个速度更快、可靠性更强的本征体二极管。除降低导通电阻和恢复时间外，通过降低栅电容、栅电荷和栅输入电阻，这些技术改良更能提高开关效率，降低驱动损耗。在开关期间提高的可靠性，特别是在桥式拓扑中，包括在低负载下的零压开关（zvs）结构，使新产品具有很高的dv/dt值。 采用这项技术的未来产品还将提供更多的封装选择和电流性能，每款封装都让快速恢复mosfet晶体管具有极低的导通电阻。其中，stp30nm60nd采用to-220封装，额定漏极电流25a，导通电阻0.13欧姆；std11nm60nd采用dpak贴装封装，漏极电流10a，导通电阻0.45欧姆。 stw55nm60nd现在已开始量产。
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