STP30NM60ND
8000
TO2203/23+
原厂渠道,现货配单
STP30NM60ND
20000
TO247/22+
奥利腾只做原装正品,实单价优可谈
STP30NM60ND
50000
MOSFET NCH 600V 25A TO220/2020+
原装现货配单
STP30NM60ND
50000
TO2203/22+
原装现货,假一赔十
STP30NM60ND
65286
-/21+
全新原装现货,长期供应,免费送样
STP30NM60ND
15000
TO220ABNONISOL/22+
原装现货 平价清仓
STP30NM60ND
22100
TO220/23+
BOM配单,终端工厂
STP30NM60ND
158
TO220/21+
10年原装供应商,正品现货持续有货到
STP30NM60ND
10212
TO220/21+
原装现货终端免费提供样品
STP30NM60ND
5000
TO2203/22+
原装现货,实单来谈,配套服务
STP30NM60ND
28000
N/22+
原装现货只有原装.假一罚十
STP30NM60ND
6000
TO220ABNONISOL/22+
十年配单,只做原装
STP30NM60ND
96652
TO220ABNONISOL/22+
-
STP30NM60ND
6500
TO220ABNONISOL/21+
原装正品
STP30NM60ND
60000
TO220ABNONISOL/21+
十年配单,只做原装
STP30NM60ND
20000
SOP/2023+
17%原装.深圳送货
STP30NM60ND
8000
TO2203/23+
原厂渠道,现货配单
STP30NM60ND
8000
TO2203/23+
原厂渠道,现货配单
STP30NM60ND
8620
TO220/22+
只做原装假一赔万
为现实,st对fdmesh超结架构进行了技术改进,在传统的带状mosfet结构中融合垂直结构,同时还内置一个速度更快、可靠性更强的本征体二极管。除降低导通电阻和恢复时间外,通过降低栅电容、栅电荷和栅输入电阻,这些技术改良更能提高开关效率,降低驱动损耗。在开关期间提高的可靠性,特别是在桥式拓扑中,包括在低负载下的零压开关(zvs)结构,使新产品具有很高的dv/dt值。 采用这项技术的未来产品还将提供更多的封装选择和电流性能,每款封装都让快速恢复mosfet晶体管具有业内最低的导通电阻。其中,stp30nm60nd采用to-220封装,额定漏极电流25a,导通电阻0.13欧姆;std11nm60nd采用dpak贴装封装,漏极电流10a,导通电阻0.45欧姆;st的fdmesh ii系列产品将不断推出新产品,以扩大电压和电流性能的选择范围,后续产品将采用业内标准的功率封装。 stw55nm60nd现在已开始量产。 来源:ks99
能变为现实,st对fdmesh超结架构进行了技术改进,在传统的带状mosfet结构中融合垂直结构,同时还内置一个速度更快、可靠性更强的本征体二极管。除降低导通电阻和恢复时间外,通过降低栅电容、栅电荷和栅输入电阻,这些技术改良更能提高开关效率,降低驱动损耗。在开关期间提高的可靠性,特别是在桥式拓扑中,包括在低负载下的零压开关(zvs)结构,使新产品具有很高的dv/dt值。 采用这项技术的未来产品还将提供更多的封装选择和电流性能,每款封装都让快速恢复mosfet晶体管具有最低的导通电阻。其中,stp30nm60nd采用to-220封装,额定漏极电流25a,导通电阻0.13欧姆;std11nm60nd采用dpak贴装封装,漏极电流10a,导通电阻0.45欧姆;st的fdmesh ii系列产品将不断推出新产品,以扩大电压和电流性能的选择范围,后续产品将采用业内标准的功率封装。 来源:ks99
为现实,st对fdmesh超结架构进行了技术改进,在传统的带状mosfet结构中融合垂直结构,同时还内置一个速度更快、可靠性更强的本征体二极管。除降低导通电阻和恢复时间外,通过降低栅电容、栅电荷和栅输入电阻,这些技术改良更能提高开关效率,降低驱动损耗。在开关期间提高的可靠性,特别是在桥式拓扑中,包括在低负载下的零压开关(zvs)结构,使新产品具有很高的dv/dt值。 采用这项技术的未来产品还将提供更多的封装选择和电流性能,每款封装都让快速恢复mosfet晶体管具有业内最低的导通电阻。其中,stp30nm60nd采用to-220封装,额定漏极电流25a,导通电阻0.13欧姆;std11nm60nd采用dpak贴装封装,漏极电流10a,导通电阻0.45欧姆;st的fdmesh ii系列产品将不断推出新产品,以扩大电压和电流性能的选择范围,后续产品将采用业内标准的功率封装。 stw55nm60nd现在已开始量产。
师大幅度提高功率密度。 新的fdmesh超结架构在传统的带状mosfet结构中融合垂直结构,同时还内置一个速度更快、可靠性更强的本征体二极管。除降低导通电阻和恢复时间外,通过降低栅电容、栅电荷和栅输入电阻,这些技术改良更能提高开关效率,降低驱动损耗。在开关期间提高的可靠性,特别是在桥式拓扑中,包括在低负载下的零压开关(zvs)结构,使新产品具有很高的dv/dt值。 采用这项技术的未来产品还将提供更多的封装选择和电流性能,每款封装都让快速恢复mosfet晶体管具有极低的导通电阻。其中,stp30nm60nd采用to-220封装,额定漏极电流25a,导通电阻0.13欧姆;std11nm60nd采用dpak贴装封装,漏极电流10a,导通电阻0.45欧姆。 stw55nm60nd现在已开始量产。