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STV160NF03LT4

更新时间:2025-07-05 13:09:14

供应商
产品型号
服务标识
数量
厂商
封装/批号
说明
询价

深圳市优尚半导体科技有限公司
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深圳晨欣芯讯电子科技有限公司
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深圳市安富世纪电子有限公司
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原厂代理终端免费提供样品

深圳市粤东诚信电子有限公司
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30000
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原装，一站式BOM配单

上海熠富电子科技有限公司
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21000
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POWERSO10/2024
上海原装现货库存，欢迎查询

深圳市金科创世纪电子有限公司
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SOP10/24+
原装现货，可开专票，提供账期服务

深圳市锦泰世纪电子有限公司
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2500
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SOP10/20+
长期回收原装IC

深圳市英特翎科技有限公司
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深圳市亿科泰电子科技有限公司
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深圳市米数科技有限公司
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600
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深圳市创芯联盈电子有限公司
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600
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深圳中和芯电子有限公司
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深圳市优尚半导体科技有限公司
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标准国际（香港）有限公司
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昂富（深圳）电子科技有限公司
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军工单位、研究所指定合供方,一站式解决BOM配单

深圳市福田区超洋芯电子经营部
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深圳芯万众科技有限公司
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公司现货库存，假一赔十

深圳市金华微盛电子有限公司
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深圳市广运诚科技有限公司
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深圳市科鑫美电子有限公司
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深圳市金灿利电子科技有限公司
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全新原装现货/优势渠道/提供一站式配单

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STV160NF03LT4外观图

STV160NF03LT4

STMicroelectronics FET - 单

MOSFET N-CH 30V 160A POWERSO-10

封装:PowerSO-10 裸露底部焊盘

STV160NF03LT4 概述

STV160NF03LT4是功率MOSFET。该器件设计用于高效能和高可靠性的应用场合。它具有低导通电阻特性，有助于减少能量损耗并提高系统整体效率。其最大漏源电压为30V，适合在低压电源环境中多种应用场景，如电池管理系统、电动工具中的电机驱动以及各类消费电子产品内的电源开关电路。由于其封装形式为贴片式，便于实现自动化生产，并且能够有效节省空间，非常适合紧凑型电路板设计。在实际应用中，建议根据具体电路需求选择合适的栅极驱动电阻值以优化开关速度与EMI性能之间的平衡。同时，在布局布线时应尽量缩短源极到地的路径长度，减少寄生电感影响，确保器件稳定工作。

STV160NF03LT4 规格参数

标准包装
600
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
STripFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
160A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
2.8 毫欧 @ 80A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
140nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
4700pF @ 25V
功率 - 最大
210W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
PowerSO-10 裸露底部焊盘
供应商设备封装
PowerSO-10
包装
带卷 (TR)
其它名称
497-3252-2

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