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TC58BVG0S3HTA00

更新时间:2025-07-01 19:28:18
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TC58BVG0S3HTA00外观图

  • 大小：1400.61KB
  • 厂家：
  • 描述：TC58BVG0S3HTA00 2019-10-01C 1 ? 2012-2019 KIOXIA Corporation MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS 1 GBIT (128M ? 8 BIT) CMOS NAND E 2 PROM DESCRIPTION The TC58BVG0S3HTA00 is a single 3.3V 1Gbit (1,107,296,256 bits) NAND Electrically Erasable and Programmable Read-Only Memory (NAND E 2 PROM) organized as (2048 ? 64) bytes ? 64 pages ? 1024 blocks. The device has a 2112-byte static register which allows program and read data to be transferred between the register and the memory cell array in 2112-bytes increments. The Erase operation is implemented in a single block unit (128 Kbytes ? 4 Kbytes: 2112 bytes ? 64 pages). The TC58BVG0S3HTA00 is a serial-type memory device which utilizes the I/O pins for both address and data input/output as well as for command inputs. The Erase and Program operations are automatically executed, making the device most suitable for applications such as solid-state file storage, voice recording, image file memory for still cameras a
  • 现有数量：0现货
  • 价格：在售
  • 系列：Benand?
  • 包装：托盘
  • 产品状态：在售
  • 存储器类型：非易失
  • 存储器格式：闪存
  • 技术：FLASH - NAND（SLC）
  • 存储容量：1Gb
  • 存储器组织：128M x 8
  • 存储器接口：并联
  • 时钟频率：-
  • 写周期时间 - 字，页：25ns
  • 访问时间：25 ns
  • 电压 - 供电：2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 封装/外壳：48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）
  • 供应商器件封装：48-TSOP I
70
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