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东芝推出采用56nm工艺的16Gb NAND闪存芯片
大容量＊2的1６gb产品。而且一次处理的数据（页面）达到数倍增长，写入速度也达到了以往mlc产品2倍＊3的１０mb/秒，同时实现了大容量化和高速化。东芝公司今后将继续微细加工、多值化的新技术开发，同时也将不断增强设备、改善生产效率，确保满足nand闪存市场需求的供应能力和成本竞争力。１ｎｍ：纳米。１０－9ｍ２每一个硅芯片的容量３和采用多值技术的本公司以往产品的最高速度进行比较新产品的概要型号名容量样品出货量产时间 tc58nvg3d1dtg00 8gb 2007年1月 2007年1月 tc58nvg4d1dtg00 16gb 2007年第一季度 2007年第二季度的早期新产品的主要特征１．采用最先进的５６ｎｍ工艺和可以提高每个器件数据保存容量的多值技术（mlc）等，单芯片的容量达到上一代产品（8gb 70nm工艺）的2倍。２．除了微细加工效果以外，还引进以下高速写入技术。・一次写入页面大小从原来的2,112byte增加到2倍4,314byte・
东芝发布8Gb/16Gb NAND闪存，采用56nm工艺制造
率，确保满足nand闪存市场需求的供应能力和成本竞争力。新产品的主要特征：采用最先进的56nm工艺和可以提高每个器件数据保存容量的多级单元技术(mlc)等，单芯片的容量达到上一代产品(8gb 70nm工艺)的2倍。除了微细加工效果以外，还引进以下高速写入技术。一次写入页面大小从原来的2,112byte增加到2倍4,314byte 采用降低数据待处理、高速化的写入缓冲功能通过以上功能，实现相当于以往产品(多值)2倍的10mb/秒的高速写入速度。新产品的主要规格： tc58nvg3d1dtg00容量为8gb，电源电压为2.7v～3.6v，页面大小为4096＋218byte，编程时间为800微秒/页(typ.)，消除时间2毫秒/块(typ.)，访问时间50微秒(1st)；tc58nvg4d1dtg00容量为16gb，电源电压为2.7v～3.6v，页面大小为4096＋218byte，编程时间为800微秒/页(typ.)，消除时间2毫秒/块(typ.)，访问时间30纳秒(串联)。两款产品均采用48pin tsop typei封装，外形尺寸为12×20×1.2mm。(注：以上产品型号适用于日本

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