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TFZGTR11B

更新时间:2025-06-10 11:39:02
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TFZGTR11B 规格参数
  • 制造商
    ROHM Semiconductor
  • 齐纳电压
    11 V
  • 电压容差
    3 %
  • 齐纳电流
    10 mA
  • 功率耗散
    500 mW
  • 最大反向漏泄电流
    0.2 uA
  • 最大齐纳阻抗
    10 Ohms
  • 最大工作温度
    + 150 C
  • 安装风格
    SMD/SMT
  • 封装 / 箱体
    TUMD-2
  • 封装
    Reel
芯产品
1.2万
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广东微尔科技有限公司
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