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TJ8S06M3L(T6L1,NQ)

更新时间:2025-05-12 04:27:31
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TJ8S06M3L(T6L1,NQ)外观图

  • 标准包装：2,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：-
  • FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：8A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：104 毫欧 @ 4A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：3V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：19nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：890pF @ 10V
  • 功率 - 最大：27W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
  • 供应商设备封装：DPAK+
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：TJ8S06M3L(T6L1NQ)TJ8S06M3LT6L1NQ
芯知识
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广东微尔科技有限公司
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