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US6M2GTR

更新时间:2025-05-19 17:04:32
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US6M2GTR 规格参数
  • 现有数量
    0现货查看交期
  • 系列
    -
  • 包装
    卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态
    在售
  • 技术
    MOSFET（金属氧化物）
  • 配置
    N 和 P 沟道
  • FET 功能
    -
  • 漏源电压（Vdss）
    30V，20V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    1.5A，1A
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    240 毫欧 @ 1.5A，4.5V，390 毫欧 @ 1A，4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    1.5V @ 1mA，2V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
    2.2nC @ 4.5V，2.1nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    80pF @ 10V，150pF @ 10V
  • 功率 - 最大值
    1W
  • 工作温度
    150°C
  • 安装类型
    表面贴装型
  • 封装/外壳
    6-SMD，扁平引线
  • 供应商器件封装
    TUMT6
芯知识
2.6万
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广东微尔科技有限公司
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