UT10N60F

更新时间:2025-05-16 04:17:40

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UT10N60F 概述

UT10N60F是UTC半导体生产的一款N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用先进的平面栅工艺制造，具有低导通电阻和快速开关特性。其最大漏极-源极电压为600V，连续漏极电流可达10A，在高温环境下也能稳定工作。典型应用于开关电源、照明系统中的镇流器、适配器以及电池充电器等需要高效功率转换的场合。在电路设计中，建议注意驱动电压的选择以确保MOSFET充分开启，减少导通损耗；同时也要关注散热设计，避免因过热导致性能下降或损坏。

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