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AO4435L

更新时间:2025-05-16 23:33:38

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AO4435L 概述

AO4435L是由Alpha and Omega Semiconductor (AOS)公司生产的一款P沟道增强型MOSFET。该器件采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于高效能电源管理应用。其最大漏源电压为-20V，连续漏极电流可达-4.1A（在25°C条件下），非常适合用于便携式设备、负载开关、电池充电器及DC-DC转换器等场景中。由于其封装尺寸小且具备优秀的热性能，AO4435L能在紧凑的设计空间内提供可靠的功率控制功能，同时减少能量损耗并提高系统整体效率。在实际应用时，需注意遵循正确的驱动电路设计以确保最佳的开关性能，并防止过压或过流情况对器件造成损害。

AO4435L 规格参数

现有数量
0现货
系列
-
包装
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
产品状态
停产
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
10.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
5V，20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
14 毫欧 @ 11A，20V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
24 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1400 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
3.1W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-SOIC
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

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