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IRF7811W

更新时间:2025-05-17 07:10:45
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IRF7811W外观图

IRF7811W

International Rectifier 分离式半导体产品

MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC

  • 封装:8-SOIC (0.154", 3.90mm 宽)
IRF7811W 规格参数
  • 标准包装
    95
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 单路
  • 系列
    HEXFET®
  • FET 型
    MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    逻辑电平门
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    12 毫欧 @ 15A, 4.5V
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    14A
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    33nC @ 5V
  • 在 Vds 时的输入电容(Ciss)
    2335pF @ 16V
  • 功率 - 最大
    3.1W
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    8-SOIC (0.154", 3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装
    8-SO
  • 包装
    管件
  • 其它名称
    *IRF7811W Q1057779
IRF7811W Datasheet数据手册 PDF下载
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