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APT102GA60B2

更新时间:2025-05-12 13:06:40
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APT102GA60B2的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

APT102GA60B2外观图

  • 标准包装：30
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：IGBT - 单路
  • 系列：POWER MOS 8™
  • IGBT 类型：PT
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V
  • Vge, Ic时的最大Vce（开）：2.5V @ 15V，62A
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：183A
  • 功率 - 最大：780W
  • 输入类型：标准型
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：TO-247-3 变式
  • 供应商设备封装：T-MAX? [B2]
  • 包装：管件
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