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AUIRFP4110

更新时间:2025-05-23 17:11:47

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AUIRFP4110 概述

AUIRFP4110是由Infineon Technologies生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用TO-220封装，适用于高效功率转换应用。其低导通电阻特性有助于减少功率损耗，提高系统效率。主要应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和逆变器等需要高效能量转换的场合。在设计中使用时，应注意合理选择栅极驱动电压以确保可靠开启与关闭MOSFET。此外，为保证散热效果，通常需要加装适当的散热器。根据具体的应用需求，可以将其并联使用来增加电流处理能力或者串联使用以承受更高的电压。电路设计时要特别注意PCB布局优化，减小寄生电感对高速开关性能的影响。

AUIRFP4110 规格参数

现有数量
0现货
系列
HEXFET?
包装
管件
产品状态
不适用于新设计
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.5 毫欧 @ 75A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
210 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
9620 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
370W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
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封装/外壳
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芯知识

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