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BD682TG

更新时间:2025-06-17 10:03:42

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BD682TG外观图

BD682TG

ON Semiconductor 晶体管(BJT) - 单路

TRANS DARL PNP 100V 4A BIP TO225

封装:TO-225AA，TO-126-3

BD682TG 规格参数

标准包装
50
类别
分离式半导体产品
家庭
晶体管(BJT) - 单路
系列
-
晶体管类型
PNP - 达林顿
电流 - 集电极 (Ic)（最大）
4A
电压 - 集电极发射极击穿（最大）
100V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）
2.5V @ 30mA，1.5A
电流 - 集电极截止（最大）
500µA
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
750 @ 1.5A，3V
功率 - 最大
40W
频率 - 转换
-
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-225AA，TO-126-3
供应商设备封装
TO225AA
包装
管件

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