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BLF245

更新时间:2025-06-16 14:07:35

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BLF245 规格参数

晶体管类型:
RF MOSFET
电压, Vds 最大:
65V
电流, Id 连续:
6A
功耗, Pd:
68W
工作频率范围:
25MHz 到 175MHz
噪声:
2dB
封装类型:
SOT-123
针脚数:
4
SVHC(高度关注物质):
No SVHC (18-Jun-2012)
功率, Pd:
68W
功耗:
68W
器件标号:
1
在电阻RDS（上）:
400mohm
封装类型:
SOT-123
封装类型:
SOT-123
应用代码:
RFPOWMOS
截止频率 ft, 典型值:
175MHz
晶体管数:
1
晶体管极性:
?频道
最大功耗:
68W
最小功率增益 Gp:
33dB
漏极电流, Id 最大值:
6A
电压 @ Rds测量:
10V
电压 Vgs @ Rds on 测量:
10V
电压, Vds 典型值:
65V
电压, Vgs 最高:
20V
电流, Idss 最大:
2mA
通态电阻, Rds on 最大:
750mohm
针脚格式:
D(1), S(2&4), G(3)
阈值电压, Vgs th 典型值:
4.5V
阈值电压, Vgs th 最低:
2V
阈值电压, Vgs th 最高:
4.5V

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