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BSP299 L6327

更新时间:2025-06-05 16:29:24
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BSP299 L6327 规格参数
  • 数据列表
    BSP299
  • 标准包装
    1,000
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 单
  • 系列
    SIPMOS®
  • FET 型
    MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    500V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    400mA
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    4 欧姆 @ 400mA，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    4V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    -
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    400pF @ 25V
  • 功率 - 最大
    1.8W
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    TO-261-4，TO-261AA
  • 供应商设备封装
    PG-SOT223-4
  • 包装
    带卷 (TR)
  • 其它名称
    BSP299 L6327-NDBSP299L6327XTSP000089200
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