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BSZ165N04NSG

更新时间:2025-06-13 05:52:04
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BSZ165N04NSG 规格参数
  • 数据列表
    BSZ165N04NSG
  • 标准包装
    1
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 单
  • 系列
    OptiMOS™
  • FET 型
    MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    标准型
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    16.5 毫欧 @ 20A, 10V
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    40V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    31A
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    4V @ 10µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    10nC @ 10V
  • 在 Vds 时的输入电容(Ciss)
    840pF @ 20V
  • 功率 - 最大
    25W
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    8-TSDSON
  • 供应商设备封装
    PG-TSDSON-8 (3.3x3.3)
  • 包装
    剪切带 (CT)
  • 其它名称
    BSZ165N04NSGINCT
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