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BSZ100N03LSG

更新时间:2025-05-15 21:39:33
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BSZ100N03LSG 规格参数
  • 数据列表
    BSZ100N03LS G
  • 标准包装
    1
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 单路
  • 系列
    OptiMOS™
  • FET 型
    MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    逻辑电平门
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    10 毫欧 @ 20A, 10V
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    40A
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    2.2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    17nC @ 10V
  • 在 Vds 时的输入电容(Ciss)
    1500pF @ 15V
  • 功率 - 最大
    30W
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    8-PowerTDFN
  • 供应商设备封装
    PG-TSDSON-8 (3.3x3.3)
  • 包装
    剪切带 (CT)
  • 其它名称
    BSZ100N03LSGINCT
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