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CZDM1003N TR

更新时间:2025-04-13 01:09:11

供应商
型号
服务标识
数量
厂商
产品参数
说明
询价

深圳市创芯联盈电子有限公司
CZDM1003N TR
BOM配单
一级代理，原装正品，账期支持，终端通让采购更放心！
上传BOM

深圳市河锋鑫科技有限公司
CZDM1003N TR
9000
Central Semiconductor Corp
TO2614 TO261AA/2024+
原厂渠道，现货配单

柒号芯城电子商务(深圳)有限公
CZDM1003N TR
8913
Central Semiconductor Corp
TO2614 TO261AA/23+
柒号芯城，离原厂的距离只有0.07公分

深圳市科鑫美电子有限公司
CZDM1003N TR
9000
Central Semiconductor Corp
TO2614 TO261AA/22+
原厂渠道，现货配单

深圳市吉铭贸易有限公司
CZDM1003N TR
50000
Central Semiconductor Corp
MOSFET NCH 100V 3A SOT223/2020+
原装现货配单

IC热门型号推荐优势：品质保障[放心]、稳定库存[安心]、优质商家[省心] 点击搜索体验

IR2104STRPBF PGB1010603 PDTC144EE AM26LS32ACDR AD637JQ DMP2160UFDB-7 TPS7333QDR MMBT5401LT1

CZDM1003N TR的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

CZDM1003N TR外观图

现有数量：0现货
价格：停产
系列：-
包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
产品状态：停产
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：150 毫欧 @ 2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：15 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：975 pF @ 25 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：2W（Ta）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：SOT-223
封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA

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广东微尔科技有限公司

CZDM1003N TR相关型号

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