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DSC2002S0L

更新时间:2025-07-03 15:23:42
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DSC2002S0L 规格参数
  • 数据列表
    DSC2002 View All Specifications
  • 标准包装
    3,000
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    晶体管(BJT) - 单路
  • 系列
    -
  • 晶体管类型
    NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）
    500mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）
    50V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）
    600mV @ 30mA，300mA
  • 电流 - 集电极截止（最大）
    -
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
    170 @ 150mA，10V
  • 功率 - 最大
    200mW
  • 频率 - 转换
    160MHz
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • 供应商设备封装
    迷你型3-G3-B-B
  • 包装
    带卷 (TR)
  • 其它名称
    DSC2002S0L-NDDSC2002S0LTR
DSC2002S0L Datasheet数据手册 PDF下载
芯知识
3.3万
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苏州固锝电子股份有限公司
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