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2N6304 Datasheet

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MONTGOMERYVILLE, PA
18936-1013
PHONE: (215) 631-9840
FAX: (215) 631-9855
2N6304
RF & MICROWAVE DISCRETE
LOW POWER TRANSISTORS
Features
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
Silicon RF NPN, TO-72, UHF general purpose Low Noise
Transistor
Noise Figure = 5.0 dB (typ) @ f = 450 MHz
High FT - 1.4 GHz (min) @ IC = 10 mAdc
Maximum Available Gain = 14 dB (min) @ f = 500 MHz
2
1
4
3
1. Emitter
2. Base
3. Collector
4. Case
TO-72
DESCRIPTION:
Designed primarily for use in High Gain, low noise general purpose UHF amplifiers.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(Tcase = 25
掳
C)
Symbol
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C
Parameter
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Value
15
30
3.5
50
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
mA
Thermal Data
P
D
Total Device Dissipation @ T
A
= 25潞C
Derate above 25潞C
200
1.14
mWatts
mW/ 潞C
MSC1323.PDF 10-25-99

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  • 2N630
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    TRANSISTOR | BJT | PNP | 75V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-3
    2N630
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