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2SD1781K Datasheet

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  • Medium Power Transistor (32V,0.8A)

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2SD1781K
Transistors
Medium Power Transistor (32V, 0.8A)
2SD1781K
Features
1) Very Low V
CE(sat)
.
V
CE(sat)
=
鈭?.1V(Typ.)
锛圛
C
/ I
B
= 500锟?frac12;锟紸 / 50mA锛?/div>
2) High current capacity in compact package.
3) Complements the 2SB1197K.
External dimensions
(Unit : mm)
2.9卤0.2
1.9卤0.2
0.95 0.95
(1)
(2)
1.1
+0.2
鈭?.1
0.8卤0.1
(3)
0.4
+0.1
鈭?.05
1.6
+0.2
鈭?.1
2.8卤0.2
0~0.1
Structure
Epitaxial planar type
NPN silicon transistor
All terminals have
same dimensions
0.3~0.6
+0.1
0.15
鈭?.06
ROHM : SMT3
EIAJ : SC-59
Abbreviated symbol : AF
鈭?/div>
(1) Emitter
(2) Base
(3) Collector
鈭?/div>
Denotes h
FE
Absolute maximum ratings
(Ta=25掳C)
Parameter
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
Tj
Tstg
Limits
40
32
5
0.8
1.5
200
150
鈭?5
to
+
150
Unit
V
V
V
A (DC)
A (Pulse)
mW
鈭?/div>
掳C
掳C
鈭?/div>
Single pulse Pw=100ms
Rev.A
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