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2SK3388 Datasheet

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2SK3388
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (蟺-MOSV)
2SK3388
Switching Regulator, DC-DC Converter Applications
Motor Drive Applications
Unit: mm
路
路
路
路
Low drain-source ON resistance: R
DS (ON)
= 82 m鈩?(typ.)
High forward transfer admittance: |Y
fs
| = 20 S (typ.)
Low leakage current: I
DSS
=
100
碌A (V
DS
= 250 V)
Enhancement-mode: V
th
=
1.5
to 3.5 V (V
DS
=
10
V, I
D
=
1
mA)
Maximum Ratings
(Ta
=
25掳C)
Characteristics
Drain-source voltage
Drain-gate voltage (R
GS
=
20 kW)
Gate-source voltage
DC
(Note 1)
Pulse
(Note 1)
Symbol
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
stg
Rating
250
250
卤20
20
A
60
125
487
20
12.5
150
-55~150
W
mJ
A
mJ
掳C
掳C
Unit
V
V
V
Drain current
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
鈥?/div>
SC-97
2-9F1B
Drain power dissipation (Tc
=
25掳C)
Single pulse avalanche energy
(Note 2)
Avalanche current
Repetitive avalanche energy (Note 3)
Channel temperature
Storage temperature range
Weight: 0.74 g (typ.)
Circuit Configuration
Notice:
Thermal Characteristics
Characteristics
Thermal resistance, channel to case
Symbol
R
th (ch-c)
Max
1.00
Unit
掳C/W
Please use the S1 pin for gate
input signal return. Make
sure that the main current
flows into S2 pin.
4
Note 1: Please use devices on condition that the channel temperature
is below 150掳C.
Note 2: V
DD
=
50 V, T
ch
=
25掳C (initial), L
=
2.06 mH, I
AR
=
20 A,
R
G
=
25
W
Note 3: Repetitive rating: pulse width limited by maximum channel
temperature
This transistor is an electrostatic sensitive device. Please handle with
caution.
2
1
3
1
2002-02-06

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