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2SK3391 Datasheet

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2SK3391
Silicon N-Channel MOS FET
UHF Power Amplifier
REJ03G0209-0200Z
(Previous ADE-208-847 (Z))
Rev.2.00
Apr.14.2004
Features
鈥?/div>
High power output, High gain, High efficiency
PG = 18 dB, Pout = 1.6 W,
畏add
= 58% min. (f = 836 MHz)
鈥?/div>
Compact package capable of surface mounting
Outline
UPAK
D
3
1
G
3
2
1
4
2,4
S
1. Gate
2. Source
3. Drain
4. Source
Note:
Marking is 鈥淛X鈥?
This Device is sensitive to Electro Static Discharge. An Adequate handling procedure is requested.
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25掳C)
Item
Drain to source voltage
Gate to source voltage
Drain current
Drain peak current
Channel dissipation
Channel temperature
Storage temperature
Notes: 1. PW
<
1sec, Tch
<
150掳C
2. Value at Tc = 25掳C
Symbol
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D(pulse) Note1
Pch
Note2
Tch
Tstg
Ratings
17
卤10
0.3
0.75
5
150
鈥?5 to +150
Unit
V
V
A
A
W
掳C
掳C
Rev.2.00, Apr.14.2004, page 1 of 4

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