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71061 Datasheet

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Si4831DY
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Vishay Siliconix
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
MOSFET PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
鈥?0
r
DS(on)
(W)
0.045 @ V
GS
= 鈥?0 V
0.090 @ V
GS
= 鈥?.5 V
I
D
(A)
"5
"3.5
SCHOTTKY PRODUCT SUMMARY
V
KA
(V)
30
V
f
(V)
Diode Forward Voltage
0.53 V @ 3 A
I
F
(A)
3
S
K
SO-8
A
A
S
G
1
2
3
4
Top View
8
7
6
5
K
K
D
D
G
D
P-Channel MOSFET
A
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Parameter
Drain-Source Voltage (MOSFET)
Reverse Voltage (Schottky)
Gate-Source Voltage (MOSFET)
Continuous Drain Current (T
J
= 150_C) (MOSFET)
a, b
150 C)
Pulsed Drain Current (MOSFET)
Continuous Source Current (MOSFET Diode Conduction)
a, b
Average Foward Current (Schottky)
Pulsed Foward Current (Schottky)
Maximum Power Dissipation (MOSFET)
a, b
Maximum Power Dissipation (Schottky)
a, b
Operating Junction and Storage Temperature Range
Notes
a. Surface Mounted on FR4 Board.
b. t
v
10 sec.
Document Number: 71061
S-61859鈥擱ev. A, 10-Oct-99
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
J
, T
stg
P
D
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
Symbol
V
DS
V
KA
V
GS
I
D
I
DM
I
S
I
F
I
FM
Limit
鈥?0
30
"20
"5
"3.9
"20
鈥?.7
3
20
2
1.28
1.83
1.17
鈥?5 to 150
Unit
V
A
W
_C
2-1

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