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74V2G00STR Datasheet

  • 74V2G00STR

  • DUAL 2-INPUT NAND GATE

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庐
74V2G00
DUAL 2-INPUT NAND GATE
s
s
s
s
s
s
s
s
HIGH SPEED: t
PD
= 3.7 ns (TYP.) at V
CC
= 5V
LOW POWER DISSIPATION:
I
CC
= 1
碌A
(MAX.) at T
A
= 25
o
C
HIGH NOISE IMMUNITY:
V
NIH
= V
NIL
= 28% V
CC
(MIN.)
POWER DOWN PROTECTION ON INPUTS
AND OUTPUTS
SYMMETRICAL OUTPUT IMPEDANCE:
|I
OH
| = I
OL
= 8 mA (MIN)
BALANCED PROPAGATION DELAYS:
t
PLH
鈮?/div>
t
PHL
OPERATING VOLTAGE RANGE:
V
CC
(OPR) = 2V to 5.5V
IMPROVED LATCH-UP IMMUNITY
SOT23-8L
ORDER CODES
PACKAGE
SOT23-8L
T UBE
T& R
74V2G00STR
DESCRIPTION
The 74V2G00 is an advanced high-speed CMOS
DUAL 2-INPUT NAND GATE fabricated with
sub-micron silicon gate and double-layer metal
wiring C
2
MOS technology.
The internal circuit is composed of 3 stages
including buffer output, which provide high noise
immunity and stable output.
Power down protection is provided on all inputs
and outputs and 0 to 7V can be accepted on
inputs with no regard to the supply voltage. This
device can be used to interface 5V to 3V.
PIN CONNECTION AND IEC LOGIC SYMBOLS
June 2000
1/6

74V2G00STR 产品属性

  • 3,000

  • 集成电路 (IC)

  • 逻辑 - 栅极和逆变器

  • 74V

  • 与非门

  • 2

  • 2

  • -

  • 2 V ~ 5.5 V

  • 2µA

  • 8mA，8mA

  • 0.5V

  • 1.5V

  • 7.5ns @ 4.5V ~ 5.5V，50pF

  • -55°C ~ 125°C

  • 表面贴装

  • SOT-23-8

  • SOT-23-8

  • 带卷 (TR)

  • 497-1298-2

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