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BCR583 Datasheet

  • BCR583

  • PNP Silicon Digital Transistor

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  • Infineon

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BCR 583
PNP Silicon Digital Transistor
鈥?Switching circuit, inverter, interface circuit,
driver circuit
鈥?Built in bias resistor (R
1
=10k鈩?R
2
=10k鈩?
Type
BCR 583
Marking Ordering Code
XMs
Q62702-C2385
Pin Configuration
1=B
2=E
3=C
Package
SOT-23
Maximum Ratings
Parameter
Collector-emitter voltage
Collector-base voltage
Emitter-base voltage
Input on Voltage
DC collector current
Total power dissipation,
T
S
= 79
掳C
Junction temperature
Storage temperature
Symbol
Values
50
50
10
50
500
330
150
- 65 ... + 150
mA
mW
掳C
Unit
V
V
CEO
V
CBO
V
EBO
V
i(on)
I
C
P
tot
T
j
T
stg
Thermal Resistance
Junction ambient
1)
R
thJA
R
thJS
鈮?/div>
325
鈮?/div>
215
K/W
Junction - soldering point
1) Package mounted on pcb 40mm x 40mm x 1.5mm / 6cm
2
Cu
Semiconductor Group
1
Nov-27-1996

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  • 型号
    版本
    描述
    厂商
    下载
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    英文版
    Mitsubishi Electric Semiconductor [MEDIUM POWER USE NON-INS...
    MITSUBISHI
    BCR5
  • BCR503
    英文版
    NPN Silicon Digital Transistor
    Infineon
    BCR503
  • BCR505
    英文版
    NPN Silicon Digital Transistor
    Infineon
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    Infineon
    BCR512
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    英文版
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    BCR519
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    Infineon
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    英文版
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    Infineon
    BCR533
  • BCR553
    英文版
    PNP Silicon Digital Transistor
    Infineon
    BCR553
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    英文版
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    Infineon
    BCR571
  • BCR573
    英文版
    PNP Silicon Digital Transistor
    Infineon
    BCR573
  • BCR583
    英文版
    PNP Silicon Digital Transistor
    Infineon
    BCR583
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    英文版
    Triac 5 Amperes/400-600 Volts
    POWEREX
    BCR5AM
  • BCR5AM
    英文版
    MEDIUM POWER USE NON-INSULATED TYPE, PLANAR PASSIVATION TYPE
    MITSUBISHI
    BCR5AM
  • BCR5AM
    英文版
    MEDIUM POWER USE NON-INSULATED TYPE, PLANAR PASSIVATION TYPE
    MITSUBISHI ...
    BCR5AM
  • BCR5AS
    英文版
    MEDIUM POWER USE NON-INSULATED TYPE, PLANAR PASSIVATION TYPE
    MITSUBISHI
    BCR5AS
  • BCR5AS
    英文版
    Surface Mount Triac 5 Amperes/400-600 Volts
    POWEREX
    BCR5AS

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