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BS107PT Datasheet

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  • ZETEX

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N-CHANNEL ENHANCEMENT
MODE VERTICAL DMOS FET
ISSUE 2 鈥?SEPT 93
FEATURES
* 200 Volt V
DS
* R
DS(on)
=28鈩?/div>
BS107PT
D
G
S
E-Line
TO92 Compatible
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
Drain-Source Voltage
Continuous Drain Current at T
amb
=25掳C
Pulsed Drain Current
Gate-Source Voltage
Power Dissipation at T
amb
=25掳C
Operating and Storage Temperature Range
SYMBOL
V
DS
I
D
I
DM
V
GS
P
tot
T
j
:T
stg
VALUE
200
0.12
2
卤20
500
-55 to +150
UNIT
V
A
A
V
mW
掳C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25掳C)
PARAMETER
Drain-Source
Breakdown Voltage
Gate Body Leakage
Drain Cut-Off Current
Drain Cut-Off Current
Static Drain-Source
on-State Resistance
SYMBOL
BV
DSS
I
GSS
I
DSS
I
DSX
R
DS(on)
15
MIN.
200
TYP.
230
MAX.
UNIT
V
CONDITIONS.
I
D
=100碌A, V
GS
=0V
VGS=15V, V
DS
=0V
V
GS
=0V, V
DS
=130V
V
GS
=0.2V, V
DS
=70V
V
GS
=2.6V, I
D
=20mA*
V
GS
=2.7V, I
D
=100mA*
10
30
1
28
30
nA
nA
碌A
鈩?/div>
鈩?/div>
* Measured under pulsed conditions. Pulse width=300碌s. Duty cycle
鈮?/div>
2%
3-24

BS107PT 产品属性

  • Diodes Inc.

  • N-Channel

  • 200 V

  • 20 V

  • 0.12 A

  • 30000 mOhms at 2.7 V

  • Single

  • + 150 C

  • Through Hole

  • TO-92

  • - 55 C

  • 500 mW

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  • 型号
    版本
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    BS107
  • BS107
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    TEMIC
    BS107
  • BS107
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    ONSEMI
    BS107
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    MOTOROLA
    BS107
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    BS107
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