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BTB1386N3 Datasheet

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CYStech Electronics Corp.
Low V
CE(sat)
PNP Epitaxial Planar Transistor
Spec. No. : C816N3-R
Issued Date : 2003.12.18
Revised Date :
Page No. : 1/4
BTB1386N3
Features
鈥?/div>
Excellent DC current gain characteristics
鈥?/div>
Low Saturation Voltage, V
CE(sat)
=-0.25V(typ)
Applications
鈥?/div>
Low frequency amplifier
鈥?/div>
Driver
Symbol
BTB1386N3
SOT-23
B锛欱ase
C锛欳ollector
E锛欵mitter
Absolute Maximum Ratings
(Ta=25掳C)
Parameter
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current(DC)
Collector Current(Pulsed)(
Note 1)
Power Dissipation
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Junction Temperature
Storage Temperature
Note 1: Single pulse, Pw鈮?0ms, Duty Cycle鈮?0%.
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CP
Pd
R
胃JA
Tj
Tstg
Limits
-15
-12
-6
-4
-8
225
556
150
-55~+150
Unit
V
V
V
A
mW
掳C/W
掳C
掳C
BTB1386N3
CYStek Product Specification

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