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BUZ341 Datasheet

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BUZ 341
SIPMOS
庐
Power Transistor
鈥?N channel
鈥?Enhancement mode
鈥?Avalanche-rated
Pin 1
G
Pin 2
D
Pin 3
S
Type
BUZ 341
V
DS
200 V
I
D
33 A
R
DS(on)
0.07
鈩?/div>
Package
TO-218 AA
Ordering Code
C67078-S3128-A2
Maximum Ratings
Parameter
Continuous drain current
Symbol
Values
33
Unit
A
I
D
I
Dpuls
132
T
C
= 28 掳C
Pulsed drain current
T
C
= 25 掳C
Avalanche current,limited by
T
jmax
Avalanche energy,periodic limited by
T
jmax
Avalanche energy, single pulse
I
AR
E
AR
E
AS
33
16
mJ
I
D
= 33 A,
V
DD
= 50 V,
R
GS
= 25
鈩?/div>
L
= 1.09 mH,
T
j
= 25 掳C
Gate source voltage
Power dissipation
790
V
GS
P
tot
卤
20
170
V
W
T
C
= 25 掳C
Operating temperature
Storage temperature
Thermal resistance, chip case
Thermal resistance, chip to ambient
DIN humidity category, DIN 40 040
IEC climatic category, DIN IEC 68-1
Semiconductor Group
T
j
T
stg
R
thJC
R
thJA
-55 ... + 150
-55 ... + 150
鈮?/div>
0.74
75
E
55 / 150 / 56
掳C
K/W
1
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    INTERSIL
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    SIEMENS [S...
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    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 22A I(D) |...
    ETC
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