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BZX55C68 Datasheet

  • BZX55C68

  • Silicon Epitaxial Planar Z朌iodes

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  • ETC

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BZX55C...
Vishay Telefunken
Silicon Epitaxial Planar Z鈥揇iodes
Features
D
D
D
D
D
Very sharp reverse characteristic
Low reverse current level
Very high stability
Low noise
Available with tighter tolerances
Applications
Voltage stabilization
94 9367
Absolute Maximum Ratings
T
j
= 25
_
C
Parameter
Power dissipation
Z鈥揷urrent
Junction temperature
Storage temperature range
Test Conditions
l=4mm, T
L
=25
掳
C
Type
Symbol
P
V
I
Z
T
j
T
stg
Value
500
P
V
/V
Z
175
鈥?5...+175
Unit
mW
mA
掳
C
掳
C
Maximum Thermal Resistance
T
j
= 25
_
C
Parameter
Junction ambient
Test Conditions
l=4mm, T
L
=constant
Symbol
R
thJA
Value
300
Unit
K/W
Electrical Characteristics
T
j
= 25
_
C
Parameter
Forward voltage
Test Conditions
I
F
=200mA
Type
Symbol
V
F
Min
Typ
Max
1.5
Unit
V
Document Number 85605
Rev. 4, 01-Apr-99
www.vishay.de
鈥?/div>
FaxBack +1-408-970-5600
1 (6)

BZX55C68 产品属性

  • Taiwan Semiconductor

  • 稳压二极管

  • 68 V

  • 6 %

  • 500 mW

  • 0.1 uA

  • 160 Ohms

  • + 200 C

  • Through Hole

  • DO-35

  • Reel

  • - 65 C

  • 10000

  • R0

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  • 型号
    版本
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