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D2004UK Datasheet

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  • METAL GATE RF SILICON FET

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TetraFET
D2004UK
METAL GATE RF SILICON FET
MECHANICAL DATA
A
K
B
(2
pls)
E
C
1
2
3
D
5
4
GOLD METALLISED
MULTI-PURPOSE SILICON
DMOS RF FET
10W 鈥?28V 鈥?1GHz
PUSH鈥揚ULL
FEATURES
鈥?SIMPLIFIED AMPLIFIER DESIGN
G
(4
pls)
F
H
J
I
M
N
鈥?SUITABLE FOR BROAD BAND APPLICATIONS
鈥?VERY LOW C
rss
鈥?SIMPLE BIAS CIRCUITS
鈥?LOW NOISE
DK
PIN 1
PIN 3
PIN 5
SOURCE (COMMON) PIN 2
DRAIN 2
GATE 1
DIM
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
M
N
mm
6.45
1.65R
45掳
16.51
6.47
18.41
1.52
4.82
24.76
1.52
0.81R
0.13
2.16
Tol.
0.13
0.13
5掳
0.76
0.13
0.13
0.13
0.25
0.13
0.13
0.13
0.02
0.13
Inches
0.254
0.065R
45掳
0.650
0.255
0.725
0.060
0.190
0.975
0.060
0.032R
0.005
0.085
Tol.
0.005
0.005
5掳
0.03
0.005
0.005
0.005
0.010
0.005
0.005
0.005
0.001
0.005
PIN 4
DRAIN 1
GATE 2
鈥?HIGH GAIN 鈥?10 dB MINIMUM
APPLICATIONS
鈥?/div>
HF/VHF/UHF COMMUNICATIONS
from DC to 2 GHz
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
case
= 25掳C unless otherwise stated)
P
D
BV
DSS
BV
GSS
I
D(sat)
T
stg
T
j
* Per Side
Semelab plc.
Power Dissipation
Drain 鈥?Source Breakdown Voltage *
Gate 鈥?Source Breakdown Voltage *
Drain Current *
Storage Temperature
Maximum Operating Junction Temperature
58W
65V
卤20V
2A
鈥?5 to 150掳C
200掳C
Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.
E-mail: sales@semelab.co.uk
Website: http://www.semelab.co.uk
Prelim. 01/01

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    厂商
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    MPD [MicroPower...
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    MPD [MicroPower...
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