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IC Datasheet频道、中国IC资料网

DMN100-7-F Datasheet

IC型号：
DMN100-7-F
PDF描述：
MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3
文件大小：
101.00KB
PDF页数：
4页

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DMN100-7-F 产品属性

标准包装
3,000
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
标准型
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
1.1A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
240 毫欧 @ 1A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
3V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs
5.5nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
150pF @ 10V
功率 - 最大
500mW
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商设备封装
SC-59-3
包装
带卷 (TR)
其它名称
DMN100-FDITR

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型号

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描述

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DMN100

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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

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DMN100
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

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DMN100
DMN100_1

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DMN100-7

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TRANSISTOR | MOSFET | MATCHED PAIR | N-CHANNEL | CHIP

ETC

DMN113.3
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DMN100-7-F

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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

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DMN100-7-F
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MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3

DMN100-7-F
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