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IC Datasheet频道、中国IC资料网

EM6M2T2R Datasheet

IC型号：
EM6M2T2R
PDF描述：
MOSFET N/P-CH 20V 0.2A EMT6
文件大小：
1082.00KB
PDF页数：
8页

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上传产品规格书

EM6M2T2R 产品属性

标准包装
8,000
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 阵列
系列
-
FET 型
N 和 P 沟道
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
200mA
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
1 欧姆 @ 200mA，4V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
1V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs
-
输入电容 (Ciss) @ Vds
25pF @ 10V
功率 - 最大
150mW
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SOT-563，SOT-666
供应商设备封装
EMT6
包装
带卷 (TR)
其它名称
EM6M2T2R-NDEM6M2T2RTR

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型号

版本

描述

厂商

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EM6M1

英文版

EM6M1
EM6M1T2R

英文版

MOSFET N/P-CH 30V/20V EMT6

EM6M1T2R
EM6M2T2R

英文版

MOSFET N/P-CH 20V 0.2A EMT6

EM6M2T2R

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