InGaAlP-High Brightness-Lumineszenzdiode (617nm, High Current and Flux)
InGaAlP High Brightness LED (617nm, High Current and Flux)
F 2000D
Vorl盲ufige Daten / Preliminary Data
Wesentliche Merkmale
鈥?Optimierte Lichtauskopplung durch
Oberfl盲chenstrukturierung und Stromverteilung
鈥?Chipgr枚脽e 700 x 700
碌m
2
鈥?Wellenl盲nge (typ.) : 617 nm
鈥?Technologie:InGaAIP
鈥?Typ. Lichtflu脽: 20 lm @ 400 mA (gepulst, im
Golden Dragon
庐
Geh盲use).
Anwendungen
鈥?Ampeln
鈥?Hinterleuchtung (LCD, Handy, Schalter,
Tasten, Displays, Werbebeleuchtung,
Allgemeinbeleuchtung)
鈥?Beleuchtung im Automobilbereich
(z.B. Instrumentenbeleuchtung, Bremslichter
und Blinklichter)
鈥?Ersatz von Kleinst-Gl眉hlampen
鈥?Tragbare Beleuchtung
鈥?Fassadenbeleuchtung im Innen- und
Au脽enbereich
Typ
Type
F 2000D
Bestellnummer
Ordering Code
Q65110A0981
Feature
鈥?Optimized light extraction due to surface
structuring and current distribution
鈥?Chip size 700 x 700
碌m
2
鈥?Wavelength (typ.): 617 nm
鈥?Technology: InGaAIP
鈥?Typ. luminous flux: 20 lm @ 400 mA (pulsed, in
Golden Dragon
庐
package)
Applications
鈥?Traffic lights
鈥?Backlighting (LCD, cellular phones, switches,
keys, displays, illuminated advertising,general
lighting)
鈥?Automotive lighting (e.g. dashboard
backlighting, brake lights, turn signal lamps,
etc.)
鈥?Substitution of micro incandescent lamps
鈥?Portable light source
鈥?Indoor and outdoor commercial and residential
architectural lighting
Beschreibung
Description
Rot emittierender Chip mit optimierter Lichtauskopplung
durch Oberfl盲chenstrukturierung, Oberseite Anodenan-
schluss
Red emitting chip with optimized light extraction due to sur-
face structuring, top side anode connection
2003-04-15
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