GB02SLT12-220 Datasheet

  • GB02SLT12-220

  • Diode Silicon Carbide Schottky 1200V (1.2kV) 2A Through Hole...

  • 49.00KB

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GB02SLT12-220 产品属性

  • GeneSiC Semiconductor

  • Schottky Silicon Carbide Diodes

  • 1200 V

  • 2 A

  • 18 A

  • 17 ns

  • 1.8 V

  • 8 uA

  • 42 W

  • - 55 C to + 175 C

  • Through Hole

  • TO-220

  • Bulk

  • 16 pF

  • 50

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