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IC Datasheet频道、中国IC资料网

IPD80P03P4L-07 Datasheet

IC型号：
IPD80P03P4L-07
PDF描述：
OptiMOS-P2 Power-Transistor
文件大小：
169.74KB
芯片厂家：

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IPD80P03P4L-07 产品属性

数据列表
IPD80P03P4L-07
标准包装
2,500
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
OptiMOS™
FET 型
MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
80A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
6.8 毫欧 @ 80A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
2V @ 130µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
80nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
5700pF @ 25V
功率 - 最大
88W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装
PG-TO252-3
包装
带卷 (TR)
其它名称
IPD80P03P4L-07-NDIPD80P03P4L-07INTRSP000396296

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型号

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