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IRFU2307Z Datasheet

  • IRFU2307Z

  • AUTOMOTIVE MOSFET

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PD - 96910
AUTOMOTIVE MOSFET
Features
Advanced Process Technology
l
Ultra Low On-Resistance
l
175掳C Operating Temperature
l
Fast Switching
l
Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax
l
IRFR2307Z
IRFU2307Z
HEXFET
庐
Power MOSFET
D
V
DSS
= 75V
R
DS(on)
= 16m鈩?/div>
Description
Specifically designed for Automotive applications,
this HEXFET
庐
Power MOSFET utilizes the latest
processing techniques to achieve extremely low
on-resistance per silicon area. Additional features
of this design are a 175掳C junction operating
temperature, fast switching speed and improved
repetitive avalanche rating . These features com-
bine to make this design an extremely efficient and
reliable device for use in Automotive applications
and a wide variety of other applications.
G
S
I
D
= 42A
Absolute Maximum Ratings
Parameter
I
D
@ T
C
= 25掳C
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
(Silicon Limited)
I
D
@ T
C
= 100掳C Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
I
D
@ T
C
= 25掳C Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
(Package Limited)
Pulsed Drain Current
I
DM
D-Pak
IRFR2307Z
Max.
53
38
42
210
110
0.70
卤 20
I-Pak
IRFU2307Z
Units
A
聶
P
D
@T
C
= 25掳C Power Dissipation
V
GS
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
W
W/掳C
V
mJ
A
mJ
E
AS (Thermally limited)
Single Pulse Avalanche Energy
Single Pulse Avalanche Energy Tested Value
E
AS
(Tested )
I
AR
E
AR
T
J
T
STG
Avalanche Current
d
脙聶
h
100
140
See Fig.12a, 12b, 15, 16
-55 to + 175
Repetitive Avalanche Energy
Operating Junction and
Storage Temperature Range
g
掳C
300 (1.6mm from case )
10 lbf in (1.1N m)
Soldering Temperature, for 10 seconds
Mounting Torque, 6-32 or M3 screw
Thermal Resistance
R
胃JC
R
胃JA
R
胃JA
Junction-to-Case
y
y
j
Parameter
Typ.
Max.
1.42
40
110
Units
掳C/W
Junction-to-Ambient (PCB mount)
Junction-to-Ambient
j
ij
鈥撯€撯€?/div>
鈥撯€撯€?/div>
鈥撯€撯€?/div>
HEXFET
庐
is a registered trademark of International Rectifier.
www.irf.com
1
10/20/04

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  • 型号
    版本
    描述
    厂商
    下载
  • IRFU010
    英文版
    AVALANCHE AND dv/dt RATED
    IRF
    IRFU010
  • IRFU010
    英文版
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    SAMSUNG
    IRFU010
  • IRFU010
    英文版
    N-CHANNEL POWER MOSFET
    SAMSUNG [S...
    IRFU010
  • IRFU010
    英文版
    AVALANCHE AND dv/dt RATED
    IRF [Inter...
    IRFU010
  • IRFU012
    英文版
    AVALANCHE AND dv/dt RATED
    IRF
    IRFU012
  • IRFU012
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    IRF [Inter...
    IRFU012
  • IRFU014
    英文版
    Power MOSFET(Vdss = 60 V, Rds(on) = 0.20 Ohm, Id= 7.7A)
    IRF
    IRFU014
  • IRFU014
    英文版
    N-CHANNEL POWER MOSFET
    SAMSUNG
    IRFU014
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    英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 15A I(D) | ...
    ETC
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  • IRFU020
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    VISAY [Vis...
    IRFU020
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    英文版
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    ETC
    IRFU022
  • IRFU024
    英文版
    HEXFET POWER MOSFET
    IRF
    IRFU024
  • IRFU024
    英文版
    HEXFET POWER MOSFET
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    IRFU024
  • IRFU110
    英文版
    4.7A, 100V, 0.540 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
    INTERSIL
    IRFU110
  • IRFU110
    英文版
    4.7A, 100V, 0.540 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
    INTERSIL [...
    IRFU110
  • IRFU111
    英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 4.4A I(D) |...
    ETC
    IRFU111
  • IRFU120
    英文版
    HEXFET POWER MOSFET
    IRF
    IRFU120
  • IRFU120
    英文版
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    INTERSIL
    IRFU120

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