IXTM67N10 Datasheet

  • IXTM67N10

  • MegaMOSFET

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  • IXYS   IXYS

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MegaMOS
TM
FET
IXTH / IXTM 67N10
IXTH / IXTM 75N10
N-Channel Enhancement Mode
V
DSS
100 V
100 V
I
D25
R
DS(on)
67 A 25 m鈩?/div>
鈩?/div>
鈩?/div>
75 A 20 m鈩?/div>
Symbol
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D25
I
DM
P
D
T
J
T
JM
T
stg
M
d
Weight
Test Conditions
T
J
= 25掳C to 150掳C
T
J
= 25掳C to 150掳C; R
GS
= 1 M鈩?/div>
Continuous
Transient
T
C
= 25掳C
T
C
= 25掳C, pulse width limited by T
JM
T
C
= 25掳C
67N10
75N10
67N10
75N10
Maximum Ratings
100
100
卤20
卤30
67
75
268
300
300
-55 ... +150
150
-55 ... +150
V
V
V
V
A
A
A
A
W
掳C
掳C
掳C
TO-247 AD (IXTH)
D (TAB)
TO-204 AE (IXTM)
D
G = Gate,
S = Source,
G
D = Drain,
TAB = Drain
Mounting torque
1.13/10 Nm/lb.in.
TO-204 = 18 g, TO-247 = 6 g
300
掳C
Features
International standard packages
Low R
DS (on)
HDMOS
TM
process
Rugged polysilicon gate cell structure
Low package inductance (< 5 nH)
- easy to drive and to protect
Fast switching times
l
Maximum lead temperature for soldering
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25掳C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
100
2
4
卤100
T
J
= 25掳C
T
J
= 125掳C
200
1
0.025
0.020
V
Applications
Switch-mode and resonant-mode
power supplies
Motor controls
Uninterruptible Power Supplies (UPS)
DC choppers
l
V
DSS
V
GS(th)
I
GSS
I
DSS
R
DS(on)
V
GS
= 0 V, I
D
= 250
碌A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
碌A
V
GS
=
卤20
V
DC
, V
DS
= 0
V
DS
= 0.8 鈥?V
DSS
V
GS
= 0 V
V
GS
= 10 V, I
D
= 0.5 I
D25
nA
碌A
mA
鈩?/div>
鈩?/div>
Advantages
Easy to mount with 1 screw (TO-247)
(isolated mounting screw hole)
Space savings
High power density
l
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
漏 2000 IXYS All rights reserved
l
l
67N10
75N10
Pulse test, t
鈮?/div>
300
碌s,
duty cycle d
鈮?/div>
2 %
l
V
l
l
l
l
l
l
91533E(5/96)
1-4

IXTM67N10 产品属性

  • 0现货

  • 停产

  • GigaMOS?

  • 管件

  • 停产

  • N 通道

  • MOSFET(金属氧化物)

  • 100 V

  • 67A(Tc)

  • 10V

  • 25 毫欧 @ 33.5A,10V

  • 4V @ 4mA

  • 260 nC @ 10 V

  • ±20V

  • 4500 pF @ 25 V

  • -

  • 300W(Tc)

  • -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 通孔

  • TO-204AE

  • TO-204AE

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    版本
    描述
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    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 950V V(BR)DSS | 2A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 2A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 2A I(D) | ...
    ETC
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    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 3A I(D) | ...
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    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 3A I(D) | ...
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    TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 3A I(D) | ...
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    TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 3A I(D) | ...
    ETC
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    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 4A I(D) | ...
    ETC
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    4 AMPS 450-500 V, 1.5-ohm / 2.0-ohm
    IXYS [IXYS...
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 4A I(D) | ...
    ETC
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    4 AMPS 450-500 V, 1.5-ohm / 2.0-ohm
    IXYS [IXYS...
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 4A I(D) | ...
    ETC
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    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 4A I(D) | ...
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    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 4A I(D) | ...
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    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 950V V(BR)DSS | 5A I(D) | ...
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    TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 5A I(D) | ...
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