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IXTP180N055T Datasheet

  • IXTP180N055T

  • Trench Gate Power MOSFET

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  • IXYS   IXYS

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Advance Technical Information
Trench Gate
Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode
IXTQ 180N055T
IXTA 180N055T
IXTP 180N055T
V
DSS
I
D25
R
DS(on)
= 55 V
= 180 A
鈩?/div>
= 4.0 m鈩?/div>
TO-3P (IXTQ)
Symbol
V
DSS
V
DGR
V
GSM
I
D25
I
DRMS
I
DM
I
AR
E
AS
dv/dt
P
D
T
J
T
JM
T
stg
T
L
Test Conditions
T
J
= 25掳C to 175掳C
T
J
= 25掳C to 175掳C; R
GS
= 1 M鈩?/div>
Maximum Ratings
55
55
卤20
V
V
V
TO-220 (IXTP)
A
A
A
A
G
(TAB)
G
D
S
(TAB)
T
C
= 25掳C
External lead current limit
T
C
= 25掳C, pulse width limited by T
JM
T
C
= 25掳C
T
C
= 25掳C
I
S
鈮?/div>
I
DM
, di/dt
鈮?/div>
100 A/碌s, V
DD
鈮?/div>
V
DSS
,
T
J
鈮?/div>
150掳C, R
G
= 10
鈩?/div>
T
C
= 25掳C
180
75
600
75
1.0
3
360
-55 ... +175
175
-55 ... +150
J
V/ns
W
掳C
掳C
掳C
掳C
掳C
G = Gate
S = Source
D S
TO-263 (IXTA)
G
S
(TAB)
D = Drain
TAB = Drain
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
Maximum tab temperature for soldering
TO-263 package for 10s
Mounting torque
TO-3P
TO-220
TO-263
(TO-3P / TO-220)
300
260
M
d
Weight
1.13/10 Nm/lb.in.
5.5
4
3
g
g
g
Features
International standard packages
Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
Low package inductance
- easy to drive and to protect
Symbol
Test Conditions
(T
J
= 25掳C, unless otherwise specified)
V
DSS
V
GS(th)
I
GSS
I
DSS
R
DS(on)
V
GS
= 0 V, I
D
= 250
碌A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 1 mA
V
GS
=
卤20
V
DC
, V
DS
= 0
V
DS
= V
DSS
V
GS
= 0 V
T
J
= 125掳C
Characteristic Values
Min. Typ.
Max.
55
2.0
4.0
卤200
1
250
3.3
4.0
V
V
nA
碌A
碌A
m
鈩?/div>
Advantages
Easy to mount
Space savings
High power density
V
GS
= 10 V, I
D
= 50 A
Pulse test, t
鈮?/div>
300
碌s,
duty cycle d
鈮?/div>
2 %
漏 2005 IXYS All rights reserved
DS99342(02/05)

IXTP180N055T 产品属性

  • 50

  • 分离式半导体产品

  • FET - 单

  • -

  • MOSFET N 通道，金属氧化物

  • 标准型

  • 55V

  • 180A

  • -

  • 4V @ 1mA

  • -

  • -

  • -

  • 通孔

  • TO-220-3

  • TO-220

  • 管件

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    版本
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