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LH28F016SUT-70 Datasheet

  • LH28F016SUT-70

  • 16M (1M x 16 , 2M x 8) Flash Memory

  • 326.47KB

  • 37页

  • SHARP

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LH28F016SU
FEATURES
16M (1M 脳 16, 2M 脳 8) Flash Memory
56-PIN TSOP
TOP VIEW
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User-Configurable x8 or x16 Operation
User-Selectable 3.3 V or 5 V V
CC
70 ns Maximum Access Time
0.32 MB/sec Write Transfer Rate
100,000 Erase Cycles per Block
32 Independently Lockable Blocks
5 V Write/Erase Operation (5 V V
PP
)
鈥?No Requirement for DC/DC Converter
to Write/Erase
鈥?160 ns Maximum Access Time
(V
CC
= 2.7 V)
3/5
CE
1
NC
A
20
A
19
A
18
A
17
A
16
V
CC
A
15
A
14
A
13
A
12
CE
0
V
PP
RP
A
11
A
10
A
9
A
8
GND
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
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14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
WP
WE
OE
RY/BY
DQ
15
DQ
7
DQ
14
DQ
6
GND
DQ
13
DQ
5
DQ
12
DQ
4
V
CC
GND
DQ
11
DQ
3
DQ
10
DQ
2
V
CC
DQ
9
DQ
1
DQ
8
DQ
0
A
0
BYTE
NC
NC
鈥?/div>
Minimum 2.7 V Read capability
鈥?/div>
Revolutionary Architecture
鈥?Pipelined Command Execution
鈥?Write During Erase
鈥?Command Superset of
Sharp LH28F008SA
鈥?/div>
5 碌A (Typ.) I
CC
in CMOS Standby
鈥?/div>
1 碌A (Typ.) Deep Power-Down
鈥?/div>
State-of-the-Art 0.55 碌m ETOX鈩?/div>
Flash Technology
鈥?/div>
56-Pin, 1.2 mm 脳 14 mm 脳 20 mm
TSOP (Type I) Package
28F016SUT-1
Figure 1. TSOP Configuration
1

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