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M30LW128D110N6 Datasheet

  • M30LW128D110N6

  • IC FLASH 128MBIT 110NS 56TSOP

  • 861.50KB

  • 58页

  • STMicroelectronics   STMicroelectronics

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M30LW128D
128 Mbit (two 64Mbit, x8/x16, Uniform Block, Flash Memories)
3V Supply, Multiple Memory Product
PRELIMINARY DATA
FEATURES SUMMARY
s
TWO M58LW064D 64Mbit FLASH MEMORIES
STACKED IN A SINGLE PACKAGE
s
Figure 1. Packages
WIDE x8 or x16 DATA BUS for HIGH
BANDWIDTH
SUPPLY VOLTAGE
鈥?V
DD
= 2.7 to 3.6V for Program, Erase and
Read operations
鈥?V
DDQ
= 1.8 to V
DD
for I/O buffers
s
s
ACCESS TIME
鈥?Random Read 110ns
鈥?Page Mode Read 110/25ns
TSOP56 (N)
14 x 20 mm
s
PROGRAMMING TIME
鈥?16 Word Write Buffer
鈥?16碌s Word effective programming time
TBGA
s
128 UNIFORM 64 KWord/128KByte MEMORY
BLOCKS
BLOCK PROTECTION/ UNPROTECTION
PROGRAM and ERASE SUSPEND
128 bit PROTECTION REGISTER
COMMON FLASH INTERFACE
100, 000 PROGRAM/ERASE CYCLES per
BLOCK
ELECTRONIC SIGNATURE
鈥?Manufacturer Code: 20h
鈥?Device Code M30LW128D: 8817h
TBGA64 (ZA)
10 x 13mm
s
s
s
s
s
FBGA
s
LFBGA88 (ZE)
8 x 10mm
February 2003
This is preliminary information on a new product now in development or undergoing evaluation. Details are subject to change without notice.
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M30LW128D110N6 产品属性

  • 96

  • 集成电路 (IC)

  • 存储器

  • -

  • 闪存

  • FLASH

  • 128M（2 x 8Mx8，4Mx16）

  • 110ns

  • 并联

  • 2.7 V ~ 3.6 V

  • -40°C ~ 85°C

  • 56-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）

  • 56-TSOP

  • 托盘

  • 497-1719

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