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NESG2107M33-T3-A Datasheet

  • NESG2107M33-T3-A

  • NECs NPN SILICON TRANSISTOR

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PRELIMINARY DATA SHEET
NEC's NPN SILICON TRANSISTOR NESG2107M33
FEATURES
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IDEAL FOR OSC., HIGH-GAIN AMPLIFICATION
APPLICATIONS
HIGH BREAKDOWN VOLTAGE TECHNOLOGY
FOR SIGE TRANSISTORS
3-PIN SUPER LEAD-LESS MINIMOLD (M33) PACKAGE
ORDERING INFORMATION
PART NUMBER
NESG2107M33-A
NESG2107M33-T3-A
QUANTITY
50 pcs (Non reel)
10 kpcs/reel
SUPPLYING FORM
鈥?8 mm wide embossed taping
鈥?Pin 2 (Base) face the perforation side of the tape
Remark
To order evaluation samples, contact your nearby sales of铿乧e.
The unit sample quantity is 50 pcs.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
A
=+25潞C)
PARAMETER
Collector to Base Voltage
Collector to Emitter Voltage
Emitter to Base Voltage
Collector Current
Total Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
SYMBOL
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
tot
Note
RATINGS
13.0
5.0
1.5
100
130
150
鈭?5
to +150
UNIT
V
V
V
mA
mW
掳C
掳C
T
j
T
stg
Note
Mounted on 1.08 cm
2
脳
1.0 mm (t) glass epoxy PCB
Caution
Observe precautions when handling because these devices are sensitive to electrostatic discharge.
California Eastern Laboratories

NESG2107M33-T3-A 产品属性

  • 10,000

  • 分离式半导体产品

  • RF 晶体管 (BJT)

  • -

  • NPN

  • 5V

  • 10GHz

  • 0.9dB ~ 1.5dB @ 2GHz

  • 7dB ~ 10dB

  • 130mW

  • 140 @ 5mA，1V

  • 100mA

  • 表面贴装

  • TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

  • 3-SuperMiniMold

  • 带卷 (TR)

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