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NSBC123JPDXV6T1G Datasheet

  • NSBC123JPDXV6T1G

  • Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biase...

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NSBC123JPDXV6T1G 产品属性

  • 4,000

  • 分离式半导体产品

  • 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式

  • -

  • 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

  • 100mA

  • 50V

  • 2.2k

  • 47k

  • 80 @ 5mA，10V

  • 250mV @ 300µA，10mA

  • 500nA

  • -

  • 500mW

  • 表面贴装

  • SOT-563，SOT-666

  • SOT-563

  • 带卷 (TR)

  • NSBC123JPDXV6T1GOSNSBC123JPDXV6T1GOS-NDNSBC123JPDXV6T1GOSTR

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