NTE2398
MOSFET
N鈥揅h, Enhancement Mode
High Speed Switch
Features:
D
Dynamic dv/dt Rating
D
Repetitive Avalanche Rated
D
Fast Switching
D
Ease of Paralleling
D
Simple Drive Requirements
Absolute Maximum Ratings:
Continuous Drain Current (V
GS
= 10V), I
D
T
C
= +25掳C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.5A
T
C
= +100掳C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.9A
Pulsed Drain Current (Note 1), I
DM
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18A
Power Dissipation (T
C
= +25掳C), P
D
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 74W
Derate Linearly Above 25掳C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.59W/掳C
Gate鈥搕o鈥揝ource Voltage, V
GS
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
卤20V
Single Pulse Avalanche Energy (Note 2), E
AS
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 280mJ
Avalanche Current (Note 1), I
AR
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.5A
Repetitive Avalanche Energy (Note 1), E
AR
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7.4mJ
Peak Diode Recovery dv/dt (Note 3), dv/dt . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.5V/ns
Operating Junction Temperature Range, T
J
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 鈥?5掳 to +150掳C
Storage Temperature Range, T
stg
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 鈥?5掳 to +150掳C
Lead Temperature (During Soldering, 1.6mm from case for 10sec), T
L
. . . . . . . . . . . . . . . . . +300掳C
Mounting Torque (6鈥?2 or M3 Screw) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10 lbfin (1.1Nm)
Thermal Resistance, Junction鈥搕o鈥揅ase, R
thJC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.7掳C/W
Thermal Resistance, Junction鈥搕o鈥揂mbient, R
thJA
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 62掳C/W
Typical Thermal Resistance, Case鈥搕o鈥揝ink (Flat, Greased Surface), R
thCS
. . . . . . . . . . . . 0.5掳C/W
Note 1. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature.
Note 2. V
DD
= 50V, starting T
J
= +25掳C, L = 24mH, R
G
= 25鈩? I
AS
= 4.5A
Note 3. I
SD
1
2
3
