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PZT2222A Datasheet

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NPN Silicon Switching Transistors
PZT 2222
PZT 2222 A
q
High DC current gain: 0.1 mA to 500 mA
q
Low collector-emitter saturation voltage
q
Complementary types: PZT 2907 (PNP)
PZT 2907 A (PNP)
Type
PZT 2222
PZT 2222 A
Marking
ZT 2222
ZT 2222 A
Ordering Code
(tape and reel)
Q62702-Z2026
Q62702-Z2027
Pin Configuration
1
2
3
4
B
C
E
C
Package
1)
SOT-223
Maximum Ratings
Parameter
Collector-emitter voltage
Collector-base voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Total power dissipation,
T
S
=
110 藲C
Junction temperature
Storage temperature range
Thermal Resistance
Junction - ambient
2)
Junction - soldering point
R
th JA
R
th JS
鈮?/div>
87
鈮?/div>
27
Symbol
V
CE0
V
CB0
V
EB0
I
C
P
tot
T
j
T
stg
Values
PZT 2222
PZT 2222 A
30
60
5
40
75
6
600
1.5
150
鈥?65 鈥?+ 150
Unit
V
mA
W
藲C
K/W
1)
2)
For detailed information see chapter Package Outlines.
Package mounted on epoxy pcb 40 mm
脳
40 mm
脳
1.5 mm/6 cm
2
Cu.
Semiconductor Group
1
5.91

PZT2222A 产品属性

  • 4,000

  • 分离式半导体产品

  • 晶体管(BJT) - 单路

  • -

  • NPN

  • 1A

  • 40V

  • 1V @ 50mA，500mA

  • -

  • 100 @ 150mA，10V

  • 1W

  • 300MHz

  • 表面贴装

  • TO-261-4，TO-261AA

  • SOT-223-3

  • 带卷 (TR)

  • PZT2222ATR

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