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Q67100-Q2122 Datasheet

  • Q67100-Q2122

  • 1M x 4-Bit Dynamic RAM

  • 1365.00KB

  • 25页

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1M x 4-Bit Dynamic RAM
(Hyper Page Mode (EDO) version)
HYB 314405BJ/BJL-50/-60/-70
Advanced Information
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鈥?/div>
鈥?/div>
1 048 576 words by 4-bit organization
0 to 70 藲C operating temperature
Hyper Page Mode - EDO
Performance:
-50
-60
60
15
30
104
25
-70
70
20
35
124
30
ns
ns
ns
ns
ns
t
RAC
t
CAC
t
AA
t
RC
t
HPC
RAS access time
CAS access time
Access time from address
Read/Write cycle time
Hyper page mode (EDO)
cycle time
50
13
25
89
20
鈥?/div>
鈥?/div>
Single + 3.3 V (卤 0.3 V) supply
Low power dissipation
max. 252 mW active (-50 version)
max. 216 mW active (-60 version)
max. 198 mW active (-70 version)
Standby power dissipation:
7.2 mW max. standby (LVTTL)
3.6 mW max. standby (LVCMOS)
720
碌W
max. standby (LVCMOS) for Low Power Version
Read, write, read-modify write, CAS-before-RAS refresh, RAS-only refresh,
hidden refresh and test mode capability
All inputs and outputs LVTTL compatible
1024 refresh cycles / 16 ms
1024 refresh cycles / 128 ms for Low Power Version
Plastic Packages: P-SOJ-26/20-5 with 300 mil width
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Semiconductor Group
1
4.96

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