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SD1530-7 Datasheet

  • SD1530-7

  • Advanced Semiconductor [NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR]

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ASI SD1530-7
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
DESCRIPTION:
The
ASI SD1530-7
is a Common
Base Device Designed for DME, IFF
and Tacan Pulse Applications.
FEATURES INCLUDE:
鈥?/div>
Gold Metalization
鈥?/div>
Input Matching
鈥?/div>
Broad Band Performance
PACKAGE STYLE 250 2L FLG (A)
MAXIMUM RATINGS
I
C
V
CES
P
DISS
T
J
T
STG
胃
JC
2.5 A
55 V
125 W @ T
C
= 25
O
C
-55
O
C to +200
O
C
-55
O
C to +200
O
C
1.4
O
C/W
1 = COLLECTOR
2 = EMITTER
3 = BASE
CHARACTERISTICS
SYMBOL
BV
CES
BV
EBO
h
FE
P
G
畏
C
I
C
= 75 mA
I
E
= 25 mA
V
CE
= 5.0 V
V
CC
= 50 V
T
C
= 25
O
C
TEST CONDITIONS
MINIMUM TYPICAL MAXIMUM
55
4.0
UNITS
V
V
---
I
C
= 300 mA
fo = 960 to 1215 MHz
DUTY CYCLE
= 1.0%
10
8.5
10
45
P
out
= 25 W
PULSE WIDTH
= 10
碌S
dB
%
A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.
7525 ETHEL AVENUE
鈥?/div>
NORTH HOLLYWOOD, CA 91605
鈥?/div>
(818) 982-1200
鈥?/div>
FAX (818) 765-3004
Specifications are subject to change without notice.
REV. A
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    IRF
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